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IRFB4510PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4510PBF
No. Parte Newark39AH8934
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
142 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.903 |
| 10+ | $0.826 |
| 100+ | $0.761 |
| 500+ | $0.706 |
| 1000+ | $0.659 |
| 3000+ | $0.625 |
| 10000+ | $0.588 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4510PBF
No. Parte Newark39AH8934
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0135
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0135
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto