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IRFB7430PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.300 |
| 10+ | $2.620 |
| 25+ | $2.480 |
| 50+ | $2.400 |
| 100+ | $2.300 |
| 250+ | $2.220 |
| 500+ | $2.180 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7430PBF
No. Parte Newark53W9267
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id195
Resistencia de Activación Rds(on)0.001ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia Pd375W
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de canal N único ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. Es adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de alimentación OR-ing y redundantes, CD/CD y Aplicaciones de convertidores CA/CD e inversores CD/CA.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Paquete de capacidad de transporte de alta corriente y clasificación de alta corriente
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación de silicio anterior
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Aumento de la densidad de potencia
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.001ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
375W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza IRFB7430PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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