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IRFB7546PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 75 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7546PBF
No. Parte Newark43X7205
También conocido comoSP001560262
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.450 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.686 |
| 500+ | $0.677 |
| 1000+ | $0.636 |
| 3000+ | $0.626 |
| 10000+ | $0.590 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB7546PBF
No. Parte Newark43X7205
También conocido comoSP001560262
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id75
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0073ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd99W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7
Disipación de Potencia99
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB7546PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal de 60 V con una resistencia de activación extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET de Zanja. El MOSFET de potencia StrongIRFET™ HEXFET® es adecuado para circuitos alimentados por batería, aplicaciones de rectificador síncrono, topologías de medio puente y puente completo.
- Solidez de dv/dt dinámica, avalancha y compuerta mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0073ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
99W
Disipación de Potencia
99
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFB7546PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto