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IRFH7446TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7446TRPBF
No. Parte Newark55W4110
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| 500+ | $1.050 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFH7446TRPBF
No. Parte Newark55W4110
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id85A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0033ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.9V
Disipación de Potencia Pd78W
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoStrongIRFET HEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRFH7446TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un solo canal N de 40V adecuado para sistemas de gestión de baterías, herramientas eléctricas, accionamientos de CD y aplicaciones de juguetes eléctricos.
- Paquete de energía de montaje en superficie estándar de la industria
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Silicio optimizado para aplicaciones que cambian por debajo de <lt/>100KHz
- Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación de silicio anterior
- Amplio portafolio disponible
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
- Aumento de la densidad de potencia
- Proporciona a los diseñadores flexibilidad para seleccionar el dispositivo más óptimo para su aplicación.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0033ohm
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
78W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
StrongIRFET HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
85A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.9V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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