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IRFP4668PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4668PBF
No. Parte Newark19P2518
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 25+ | $3.240 |
| 50+ | $3.000 |
| 100+ | $2.760 |
| 250+ | $2.680 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4668PBF
No. Parte Newark19P2518
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id130A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.008ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.008ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd520W
Voltaje de Prueba Rds(on)30V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia520W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFP4668PBF es un MOSFET de potencia HEXFET de un solo canal N de 200 V en el paquete TO-247AC. Este MOSFET presenta una puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt, conmutación rápida. Aplicable a rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de energía de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 200V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 30V
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 8mohm con Vgs de 10V
- Disipación de potencia Pd de 520W a 25 °C
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.008ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Disipación de Potencia Pd
520W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
130A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.008ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
30V
Disipación de Potencia
520W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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