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IRFP4868PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 70 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.060 |
| 10+ | $6.770 |
| 25+ | $4.360 |
| 50+ | $4.040 |
| 100+ | $3.720 |
| 250+ | $3.460 |
| 800+ | $3.200 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFP4868PBF
No. Parte Newark31Y2068
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0255ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia517
Disipación de Potencia Pd517W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™ de un solo canal N. El dispositivo es ideal para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera integral aborda una amplia gama de aplicaciones que incluyen motores de CD, sistemas de administración de baterías, inversores y convertidores de CD-CD, rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de energía de alta velocidad, circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- El arreglo de pines estándar permite un reemplazo directo
- Nivel de calificación estándar de la industria
- Clasificación de alta corriente
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
517
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0255ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
517W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto