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IRFR024NTRPBF

Name: MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
Brand: INFINEON
SKU: 63J6906
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR024NTRPBF

No. Parte Newark63J6906

También conocido comoSP001552090

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR024NTRPBF

No. Parte Newark63J6906

También conocido comoSP001552090

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalN Channel

Transistor, PolaridadCanal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V

Intensidad Drenador Continua Id17A

Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm

Diseño de TransistorTO-252AA

Montaje de TransistorSurface Mount

Disipación de Potencia Pd45W

Voltaje de Prueba Rds(on)10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V

Disipación de Potencia45W

Núm. de Contactos3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.175°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Resumen del producto

El IRFR024NTRPBF es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. El nivel de disipación de potencia de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.

Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
Clasificación dv/dt dinámica

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

N Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

55V

Resistencia de Activación Rds(on)

0.075ohm

Diseño de Transistor

TO-252AA

Disipación de Potencia Pd

45W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

Núm. de Contactos

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Transistor, Polaridad

Canal N

Intensidad Drenador Continua Id

17A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.075ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Disipación de Potencia

45W

Temperatura de Trabajo Máx.

175°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documentos técnicos (3)

Simulation Model EN

Application Note EN

Technical Data Sheet EN

Alternativas para el número de pieza IRFR024NTRPBF

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí