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IRFR120NTRPBF

Name: INFINEON IRFR120NTRPBF
Brand: INFINEON
SKU: 63J6915
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

Fecha y lote

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR120NTRPBF

No. Parte Newark63J6915

También conocido comoSP001566944

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Información del producto

FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR120NTRPBF

No. Parte Newark63J6915

También conocido comoSP001566944

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Transistor, PolaridadCanal N

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V

Intensidad Drenador Continua Id9.4A

Resistencia de Activación Rds(on)0.21ohm

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.21ohm

Diseño de TransistorTO-252AA

Montaje de TransistorSurface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)10V

Disipación de Potencia Pd48W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V

Disipación de Potencia48W

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.175°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Resumen del producto

El IRFR120NTRPBF es un MOSFET de potencia de canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. El nivel de disipación de potencia de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.

Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
Clasificación dv/dt dinámica

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

Canal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

100V

Resistencia de Activación Rds(on)

0.21ohm

Diseño de Transistor

TO-252AA

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

9.4A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.21ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

48W

Disipación de Potencia

48W

Temperatura de Trabajo Máx.

175°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documentos técnicos (3)

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)

Descargue el certificado de cumplimiento del producto

Certificado de conformidad del producto

Trazabilidad del producto