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IRFR7546TRPBF
MOSFET Transistor, N Channel, 56 A, 60 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3.7 V RoHS Compliant: Yes
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1,628 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $1.060 |
| 25+ | $0.954 |
| 50+ | $0.849 |
| 100+ | $0.744 |
| 250+ | $0.676 |
| 500+ | $0.608 |
| 1000+ | $0.565 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR7546TRPBF
No. Parte Newark31Y2072
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7900µohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia99W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
99W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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