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IRFR9024NTRPBF

Name: MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
Brand: INFINEON
SKU: 63J7004
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR9024NTRPBF

No. Parte Newark63J7004

También conocido comoSP001557190

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FabricanteINFINEON

No. Parte FabricanteIRFR9024NTRPBF

No. Parte Newark63J7004

También conocido comoSP001557190

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Transistor, PolaridadCanal P

Tipo de CanalP Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V

Intensidad Drenador Continua Id11A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm

Resistencia de Activación Rds(on)0.175ohm

Diseño de TransistorTO-252AA

Montaje de TransistorSurface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)10V

Disipación de Potencia Pd38W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V

Disipación de Potencia38W

Núm. de Contactos3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.150°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Resumen del producto

El IRFR9024NTRPBF es un MOSFET de potencia de canal P único de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ENCENDIDO extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente y un funcionamiento confiable. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda. Es posible un nivel de disipación de potencia de hasta 1.5W en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

Tecnología de proceso avanzada
Calificación de avalancha completa
Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
Clasificación dv/dt dinámica

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

Canal P

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

55V

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.175ohm

Diseño de Transistor

TO-252AA

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

Núm. de Contactos

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

Tipo de Canal

P Channel

Intensidad Drenador Continua Id

11A

Resistencia de Activación Rds(on)

0.175ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

38W

Disipación de Potencia

38W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documentos técnicos (2)

Technical Data Sheet EN

Simulation Model EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Sí

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)

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