Imprimir página
IRFS3004TRL7PP
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 240 A, 0.00125 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
Opciones de embalaje
275 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.630 |
| 10+ | $3.520 |
| 25+ | $3.220 |
| 50+ | $2.930 |
| 100+ | $2.620 |
| 250+ | $2.360 |
| 500+ | $2.090 |
| 1600+ | $2.070 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.63
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS3004TRL7PP
No. Parte Newark13AC9148
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id240
Resistencia de Activación Rds(on)900µohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00125ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia380
Disipación de Potencia Pd380W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de canal N único adecuado para uso en rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, suministro de energía ininterrumpida, conmutación de energía de alta velocidad, aplicaciones de circuitos de alta frecuencia y conmutación rígida.
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
- Optimizado para una mayor disponibilidad de los socios de distribución
- Calificación del producto según el estándar JEDEC
- Nivel normal: optimizado para voltaje de accionamiento de puerta de 10V
- Paquete de energía de montaje en superficie estándar de la industria
- Paquete de capacidad de transporte de alta corriente (hasta 240A, dependiendo del tamaño de la matriz)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
900µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
380
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
240
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00125ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
380W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRFS3004TRL7PP
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto