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IRFS3607TRLPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 75 V, 80 A, 0.00734 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS3607TRLPBF.
No. Parte Newark32AC0720
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
800 En Stock
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS3607TRLPBF.
No. Parte Newark32AC0720
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia de Activación Rds(on)0.00734ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00734
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de ProductoHEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00734ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00734
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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