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IRFS4227TRLPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBF.
No. Parte Newark32AC0723
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
3,200 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $1.530 |
| 1600+ | $1.530 |
| 3200+ | $1.490 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFS4227TRLPBF.
No. Parte Newark32AC0723
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de ProductoHEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Disipación de Potencia Pd
330W
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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