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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $5.110 |
10+ | $2.890 |
100+ | $2.810 |
500+ | $2.540 |
1000+ | $2.330 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFSL3207ZPBF
No. Parte Newark91Y4710
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id170A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-262
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 2 - 1 year
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4100µohm
Diseño de Transistor
TO-262
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 2 - 1 year
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
170A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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