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IRFU3607PBF
MOSFET Transistor, N Channel, 56 A, 75 V, 7.34 mohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFU3607PBF
No. Parte Newark11N7916
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id56A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7340µohm
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia140W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
56A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7340µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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