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IRLML2402PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.361 |
| 10+ | $0.277 |
| 25+ | $0.231 |
| 50+ | $0.194 |
| 100+ | $0.163 |
| 250+ | $0.139 |
| 500+ | $0.113 |
| 1000+ | $0.096 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2402PBF
No. Parte Newark97K2350
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd540mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia540mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El IRLML2402PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con menores pérdidas de conmutación y mayor confiabilidad. Infineon utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Esquema estándar de la industria
- MSL1, calificación del consumidor
- Perfil bajo (<lt/>1.1mm)
- Alta velocidad de conmutación
- Ultra baja resistencia de encendido
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
540mW
Disipación de Potencia
540mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRLML2402PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto