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IRLML5103TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 760 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5103TRPBF
No. Parte Newark63J7612
También conocido comoSP001572946
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.361 |
| 10+ | $0.252 |
| 25+ | $0.227 |
| 50+ | $0.202 |
| 100+ | $0.177 |
| 250+ | $0.157 |
| 500+ | $0.136 |
| 1000+ | $0.122 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML5103TRPBF
No. Parte Newark63J7612
También conocido comoSP001572946
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Diseño de TransistorµSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd540mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia540mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLML5103TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona una operación extremadamente eficiente y confiable.
- Tecnología de generación V
- Perfil bajo (<lt/> 1.1mm)
- Conmutación rápida
- Baja resistencia de encendido estática drenaje a fuente
- Clasificación dv/dt dinámica
- Calificación de avalancha completa
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Diseño de Transistor
µSOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
540mW
Disipación de Potencia
540mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto