Imprimir página
IRLML6344TRPBF
MOSFET de Potencia, HEXFET, Canal N, 30 V, 5 A, 0.022 ohms, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBF
No. Parte Newark25T5500
También conocido comoSP001574050
Hoja de datos técnicos
11,743 En Stock
¿Necesita más?
3775 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
7968 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.366 |
| 10+ | $0.257 |
| 25+ | $0.225 |
| 50+ | $0.192 |
| 100+ | $0.159 |
| 250+ | $0.157 |
| 500+ | $0.154 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.37
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML6344TRPBF
No. Parte Newark25T5500
También conocido comoSP001574050
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia1.3W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLML6344TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N para el interruptor de carga/sistema.
- Estándar en la industria
- MSL1, calificación industrial
- Compatibilidad con múltiples proveedores
- Amigable con el medio ambiente
- Montaje Superficial
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLML6344TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto