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IRLMS6802TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLMS6802TRPBF
No. Parte Newark39AH8957
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.656 |
| 10+ | $0.418 |
| 25+ | $0.380 |
| 50+ | $0.342 |
| 100+ | $0.303 |
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| 500+ | $0.241 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLMS6802TRPBF
No. Parte Newark39AH8957
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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