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IRLR3114ZTRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 42 A, 0.0049 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3114ZTRPBF
No. Parte Newark13AC9238
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3114ZTRPBF
No. Parte Newark13AC9238
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia140
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza IRLR3114ZTRPBF
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4900µohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
140
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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