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IRLR3410TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3410TRPBF
No. Parte Newark63J7648
También conocido comoSP001567392
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.848 |
| 10+ | $0.755 |
| 25+ | $0.709 |
| 50+ | $0.663 |
| 100+ | $0.617 |
| 250+ | $0.605 |
| 500+ | $0.593 |
| 1000+ | $0.562 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR3410TRPBF
No. Parte Newark63J7648
También conocido comoSP001567392
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Activación Rds(on)0.105ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd79W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia79
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLR3410TRPBF es un MOSFET de potencia de un solo canal N de quinta generación HEXFET® que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia ON posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura en fase de vapor, infrarrojo o onda.
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Tecnología de proceso avanzada
- Calificación de avalancha completa
- Clasificación dv/dt dinámica
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia de Activación Rds(on)
0.105ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
79W
Disipación de Potencia
79
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLR3410TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto