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ISC0602NLSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 66 A, 0.0073 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC0602NLSATMA1
No. Parte Newark68AJ1737
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Hoja de datos técnicos
526 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $1.830 |
| 25+ | $1.660 |
| 50+ | $1.490 |
| 100+ | $1.310 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteISC0602NLSATMA1
No. Parte Newark68AJ1737
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id66
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia60
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7300µohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
60
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
66
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza ISC0602NLSATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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