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S29GL01GT11TFIV20
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT11TFIV20
No. Parte Newark62AK5985
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
900 En Stock
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28 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
872 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.210 |
| 10+ | $11.210 |
| 25+ | $11.210 |
| 50+ | $11.210 |
| 100+ | $11.210 |
| 250+ | $11.210 |
| 500+ | $11.210 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$11.21
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteS29GL01GT11TFIV20
No. Parte Newark62AK5985
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashParallel NOR
Densidad de Memoria1
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria Flash0
Configuración de Memoria128M x 8bit
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, Tipo0
No. de Pines56Pines
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso110
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT11TFIV20 is a MIRRORBIT™ flash memory fabricated on 45-nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications requiring higher density, better performance, and lower power consumption.
- 56-TSOP package type
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature, wide I/O voltage range (VIO) 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32byte page read, four lockable regions (SSR0–SSR3)
- Single word and multiple program on same word options, SSR0 is factory locked
- Automatic error checking and correction internal hardware ECC with single bit error correction
- Sector erase, uniform 128KB sectors, SSR3 is password read protect
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling and ready/busy pin methods to determine device status
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
Parallel NOR
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Interfaces
Parallel
Memoria, Tipo
0
Frecuencia de Reloj
0
Tiempo de Acceso
110
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
0
Tipo de Interfaz IC
0
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto