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SPA07N60C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA07N60C3XKSA1
No. Parte Newark62M0114
También conocido comoSPA07N60C3, SP000216303
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA07N60C3XKSA1
No. Parte Newark62M0114
También conocido comoSPA07N60C3, SP000216303
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id7.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Diseño de TransistorTO-220F
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd32W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia32
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPA07N60C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 650V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones de servidor, telecomunicaciones, Alimentación de PC y adaptadores.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Alta capacidad de corriente pico
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Capacitancia efectiva ultrabaja
- Paquete completamente aislado
- Baja resistencia específica en estado ON
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
32
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6ohm
Diseño de Transistor
TO-220F
Disipación de Potencia Pd
32W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto