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SPA08N80C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA08N80C3XKSA1
No. Parte Newark98K0551
También conocido comoSPA08N80C3, SP000216310
Hoja de datos técnicos
968 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.100 |
| 10+ | $2.330 |
| 100+ | $1.560 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.120 |
| 2500+ | $1.070 |
| 5000+ | $1.070 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA08N80C3XKSA1
No. Parte Newark98K0551
También conocido comoSPA08N80C3, SP000216310
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0.65ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPA08N80C3 es un MOSFET de potencia de canal N CoolMOS™ de 800V que presenta una carga de puerta ultrabaja. Es adecuado para aplicaciones solares, PC Power y adaptadores.
- Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
- Extremo dV/dt clasificado
- Clasificado avalancha periódica
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Capacitancia efectiva ultrabaja
- Paquete completamente aislado
- Transconductancia mejorada
- Baja resistencia específica en estado ON
- Calidad probada en el campo CoolMOS™
- Muy bajo almacenamiento de energía en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.65ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
40W
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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