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SPA11N80C3XKSA2
MOSFET, N-CH, 800V, 11A, 34W, TO-220FP
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA11N80C3XKSA2
No. Parte Newark10AH1108
Rango de ProductoCoolMOS C3
Hoja de datos técnicos
415 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.690 |
| 10+ | $3.550 |
| 100+ | $2.100 |
| 500+ | $1.770 |
| 1000+ | $1.700 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA11N80C3XKSA2
No. Parte Newark10AH1108
Rango de ProductoCoolMOS C3
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia34W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS C3
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
34W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C3
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SPA11N80C3XKSA2
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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