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SPA20N60C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA20N60C3XKSA1
No. Parte Newark16M4990
También conocido comoSPA20N60C3, SP000216354
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.650 |
| 10+ | $2.650 |
| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.470 |
| 100+ | $2.360 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPA20N60C3XKSA1
No. Parte Newark16M4990
También conocido comoSPA20N60C3, SP000216354
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id20.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd34.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia34.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPA20N60C3 es un MOSFET de potencia CoolMOS ™ de canal N de 650V con baja resistencia específica en estado activo. El CoolMOS™ MOSFET ofrece una reducción significativa de las pérdidas de conducción, conmutación y conducción y permite una alta densidad de potencia y eficiencia para sistemas de conversión de potencia superiores. La última generación de MOSFET de potencia de alto voltaje hace que las fuentes de alimentación de CA-CD sean más eficientes, más compactas, más livianas y más frías que nunca.
- Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) con 400V
- Baja carga de compuerta (Qg)
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Excelente desempeño
- Alta confiabilidad
- Fácil de usar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
34.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
34.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SPA20N60C3XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto