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SPD18P06PGBTMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 18.6 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD18P06PGBTMA1
No. Parte Newark47W3761
También conocido comoSPD18P06P G, SP000443926
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
| 10+ | $0.999 |
| 100+ | $0.652 |
| 500+ | $0.602 |
| 1000+ | $0.566 |
| 2500+ | $0.534 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.38
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPD18P06PGBTMA1
No. Parte Newark47W3761
También conocido comoSPD18P06P G, SP000443926
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id18.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia80
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SPD18P06P G es un MOSFET de potencia de canal P de -60V que cumple constantemente con las más altas exigencias de calidad y rendimiento en especificaciones clave para el diseño de sistemas de potencia, como resistencia en estado y características de figura de mérito.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Clasificado dv/dt
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
80
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto