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SPP17N80C3XKSA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPP17N80C3XKSA1.
No. Parte Newark28AC3064
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 50+ | $3.130 |
| 100+ | $2.900 |
| 250+ | $2.740 |
| 500+ | $2.580 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPP17N80C3XKSA1.
No. Parte Newark28AC3064
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia de Activación Rds(on)0.25ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd227W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia227
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0.25ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Disipación de Potencia Pd
227W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
227
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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