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SPP20N60C3XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPP20N60C3XKSA1
No. Parte Newark95W8643
También conocido comoSPP20N60C3, SP000681058
Hoja de datos técnicos
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| 1+ | $3.400 |
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| 25+ | $2.090 |
| 50+ | $1.990 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteSPP20N60C3XKSA1
No. Parte Newark95W8643
También conocido comoSPP20N60C3, SP000681058
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id20.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd208W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia208
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SPP20N60C3 is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET with low specific on-state resistance. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss) at 400V
- Low gate charge (Qg)
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Easy to use
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
208W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
208
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SPP20N60C3XKSA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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