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IS42S16400J-7BLI
SDRAM, 4M x 16bit, 5.4ns, Interfaz Paralela, BGA-54
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16400J-7BLI
No. Parte Newark52T1698
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16400J-7BLI
No. Parte Newark52T1698
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMSDR
Configuración Memoria DRAM4M x 16bit
Densidad de DRAM64Mbit
Memoria, TipoBGA
Densidad de Memoria64
Configuración de Memoria4M x 16bit
Frecuencia de Reloj143MHz
Tipo de Interfaz ICParallel
Frecuencia Max de Reloj143
Tiempo de Acceso5.4ns
Estuche / Paquete CIBGA
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
SDR
Densidad de DRAM
64Mbit
Densidad de Memoria
64
Frecuencia de Reloj
143MHz
Frecuencia Max de Reloj
143
Estuche / Paquete CI
BGA
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Configuración Memoria DRAM
4M x 16bit
Memoria, Tipo
BGA
Configuración de Memoria
4M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Tiempo de Acceso
5.4ns
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto