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IS42S16400J-7BLI
SDRAM, 4M x 16bit, 5.4ns, Interfaz Paralela, BGA-54
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16400J-7BLI
No. Parte Newark52T1698
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS42S16400J-7BLI
No. Parte Newark52T1698
Hoja de datos técnicos
Configuración Memoria DRAM4M x 16bit
Tipo de DRAMSDR
Densidad de DRAM64Mbit
Memoria, TipoBGA
Densidad de Memoria64
Configuración de Memoria4M x 16bit
Frecuencia de Reloj143MHz
Tipo de Interfaz ICParallel
Frecuencia Max de Reloj143
Estuche / Paquete CIBGA
Tiempo de Acceso5.4ns
No. de Pines54Pines
Tensión de Alimentación Nom.3.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración Memoria DRAM
4M x 16bit
Densidad de DRAM
64Mbit
Densidad de Memoria
64
Frecuencia de Reloj
143MHz
Frecuencia Max de Reloj
143
Tiempo de Acceso
5.4ns
Tensión de Alimentación Nom.
3.3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tipo de DRAM
SDR
Memoria, Tipo
BGA
Configuración de Memoria
4M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
BGA
No. de Pines
54Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto