IS42S32160F-7BLI

IS42S32160F-7BLI es una DRAM síncrona de 512Mb que logra una transferencia de datos de alta velocidad mediante una arquitectura de canalización. Todas las señales de entrada y salida se refieren al flanco ascendente de la entrada de reloj. Es una memoria de acceso aleatorio dinámica CMOS de alta velocidad diseñada para funcionar en sistemas de memoria Vdd/Vddq de 3.3V o Vdd/Vddq de 2.5V, según la opción de DRAM. Configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona. La SDRAM de 512 Mb (536,870,912 bits) incluye un MODO DE ACTUALIZACIÓN AUTOMÁTICA y un modo de ahorro de energía y de apagado. Todas las señales se registran en el flanco positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son compatibles con LVTTL.

• Completamente sincrónico; todas las señales referenciadas a un flanco de reloj positivo
• Banco interno para ocultar el acceso a la fila/precarga
• Interfaz LVTTL, secuencia de ráfagas programable: secuencial/entrelazada
• Actualización automática (CBR), actualización automática, ciclos de actualización de 8K cada 64ms
• Dirección de columna aleatoria en cada ciclo de reloj, latencia CAS activa baja programable (2, 3 relojes)
• Capacidad de operaciones de lectura/escritura en ráfaga y de lectura/escritura única en ráfaga
• Terminación de ráfaga mediante comando de precarga y parada de ráfaga
• Frecuencia de 143MHz, velocidad de 7ns
• Paquete BGA de 90 bolas
• Rango de clasificación de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C