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DE150-501N04A
Transistor FET RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
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Información del producto
FabricanteIXYS RF
No. Parte FabricanteDE150-501N04A
No. Parte Newark42M1752
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Disipación de Potencia200W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd200W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.100MHz
Diseño de TransistorDE-150
No. de Pines6Pines
Encapsulado de Transistor RFDE-150
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
El DE150-501N04A es un MOSFET de potencia RF de modo de mejora de canal N con sustrato aislado para una excelente transferencia térmica y una mayor temperatura y ciclos de potencia. Carga de puerta baja y capacitancias más fáciles de manejar y sin óxido de berilio u otros materiales peligrosos.
- Bajo Qg y Rg
- Alta calificación dv/dt
- Conmutación de nanosegundos
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Disipación de Potencia
200W
Disipación de Potencia Pd
200W
Diseño de Transistor
DE-150
Encapsulado de Transistor RF
DE-150
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
100MHz
No. de Pines
6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto