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IXFH18N100Q3
MOSFET, N-CH, 1KV, 18A, TO-247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH18N100Q3
No. Parte Newark76Y3353
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.360 |
| 5+ | $17.680 |
| 10+ | $15.630 |
| 25+ | $15.100 |
| 60+ | $14.620 |
| 120+ | $14.340 |
| 270+ | $14.080 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$21.36
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH18N100Q3
No. Parte Newark76Y3353
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.66ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.66
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd830W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6.5
Disipación de Potencia830
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.66ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.66
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
830W
Disipación de Potencia
830
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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