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IXFH28N60P3
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, 150DEG C, 695W
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH28N60P3
No. Parte Newark68X2860
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 45 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.330 |
| 10+ | $5.420 |
| 25+ | $5.130 |
| 60+ | $4.900 |
| 120+ | $4.700 |
| 270+ | $4.470 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.33
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFH28N60P3
No. Parte Newark68X2860
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia de Activación Rds(on)0.26ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.26
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd695W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia695
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.26ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.26
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
695W
Disipación de Potencia
695
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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