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IXFK140N30P
MOSFET de Potencia, PolarFET, Canal N, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK140N30P
No. Parte Newark58M7606
Hoja de datos técnicos
202 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $24.000 |
| 5+ | $21.390 |
| 10+ | $18.770 |
| 25+ | $17.020 |
| 50+ | $16.480 |
| 100+ | $16.160 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$24.00
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFK140N30P
No. Parte Newark58M7606
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300V
Intensidad Drenador Continua Id140A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.04kW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia1.04kW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFK140N30P es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N único con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™). Cuenta con baja resistencia a encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia. Es adecuado para convertidores de CD a CD, cargadores de batería, interruptores de CD, fuentes de alimentación de modo de conmutación y de modo resonante.
- Calificación de avalancha
- Bajo Qg
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Baja inductancia del paquete.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
140A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
1.04kW
Disipación de Potencia
1.04kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto