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IXFN200N10P
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PolarFET, Canal N, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN200N10P
No. Parte Newark58M7621
Hoja de datos técnicos
378 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $30.590 |
| 5+ | $26.660 |
| 10+ | $23.150 |
| 30+ | $22.350 |
| 50+ | $21.650 |
| 100+ | $21.240 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$30.59
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN200N10P
No. Parte Newark58M7621
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075ohm
Diseño de TransistorISOTOP
Montaje de TransistorMódulo
Disipación de Potencia Pd680W
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia680W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFN200N10P es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N que cuenta con miniBLOC con aislamiento de nitruro de aluminio, proceso HDMOSTM de bajo RDS (encendido), estructura de celda de compuerta de polisilicio resistente y clasificación de conmutación inductiva no sujeta (UIS).
- Rectificador intrínseco rápido
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- El epoxi encapsulado cumple con UL94V-0, clasificación de inflamabilidad
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Fácil montaje
- Alta densidad de potencia
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075ohm
Montaje de Transistor
Módulo
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
680W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0075ohm
Diseño de Transistor
ISOTOP
Disipación de Potencia Pd
680W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto