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IXFN82N60P
Transistor Sencillo Bipolar (BJT), Canal N, 72 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V SOT-227B
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN82N60P
No. Parte Newark58Y5889
Rango de ProductoSerie Polar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN82N60P
No. Parte Newark58Y5889
Rango de ProductoSerie Polar HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id72A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd1.04kW
Disipación de Potencia1.04kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSerie Polar HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
72A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.04kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
1.04kW
Rango de Producto
Serie Polar HiPerFET
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto