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IXFR140N30P
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFR140N30P
No. Parte Newark24M3015
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $23.890 |
| 5+ | $23.430 |
| 10+ | $22.970 |
| 25+ | $21.440 |
| 60+ | $19.910 |
| 120+ | $19.110 |
| 270+ | $18.300 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFR140N30P
No. Parte Newark24M3015
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300V
Intensidad Drenador Continua Id82A
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorISOPLUS-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia360W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXFR140N30P es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N único Polar™ con diodo intrínseco rápido (HiPerFET™). Cuenta con una reducción de la resistencia de encendido estático de drenaje a fuente y alta densidad de potencia.
- Chip de silicio sobre sustrato de unión directa de cobre: alta disipación de potencia y superficie de montaje aislada
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- Inductancia de paquete baja - fácil de conducir y proteger
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Voltaje de aislamiento eléctrico de 2500V
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Diseño de Transistor
ISOPLUS-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
82A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
360W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto