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IXTH30N50L2
MOSFET de Potencia, Linear L2™, Canal N, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTH30N50L2
No. Parte Newark83R9984
Hoja de datos técnicos
660 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $31.860 |
| 5+ | $27.110 |
| 10+ | $25.720 |
| 25+ | $24.830 |
| 60+ | $24.050 |
| 120+ | $23.590 |
| 270+ | $23.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$31.86
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTH30N50L2
No. Parte Newark83R9984
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd400W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia400W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXTH30N50L2 es un MOSFET de potencia lineal de canal N único LinearL2™ con FBSOA extendido. Es adecuado para interruptores de circuito de estado sólido, controles de arranque suave, amplificadores lineales, cargas programables y reguladores de corriente. Está diseñado para operación lineal.
- Paquetes estándar internacionales
- Calificación de avalancha
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
400W
Disipación de Potencia
400W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IXTH30N50L2
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto