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IXTP15N50L2
MOSFET de Potencia, Linear L2™, Canal N, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP15N50L2
No. Parte Newark83R9990
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 45 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.510 |
| 10+ | $9.000 |
| 25+ | $7.750 |
| 50+ | $6.480 |
| 100+ | $5.990 |
| 250+ | $5.730 |
| 500+ | $5.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$10.51
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP15N50L2
No. Parte Newark83R9990
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id15
Resistencia de Activación Rds(on)0.48ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.48
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXTP15N50L2 es un MOSFET de potencia lineal de modo de mejora de canal N único LinearL2™ con FBSOA extendido. Es adecuado para interruptores de circuito de estado sólido, controles de arranque suave, amplificadores lineales, cargas programables y reguladores de corriente. Está diseñado para operación lineal.
- Paquetes estándar internacionales
- Calificación de avalancha
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.48ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.48
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto