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IXTP42N25P
MOSFET de Potencia, PolarFET, Canal N, 250 V, 42 A, 0.084 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP42N25P
No. Parte Newark58M7666
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 45 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.170 |
| 10+ | $3.290 |
| 25+ | $3.190 |
| 50+ | $3.090 |
| 100+ | $2.990 |
| 250+ | $2.740 |
| 500+ | $2.500 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.17
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP42N25P
No. Parte Newark58M7666
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.084
Resistencia de Activación Rds(on)0.084ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
El IXTP42N25P es un MOSFET de potencia estándar de modo de mejora de canal N PolarHT™ que ofrece una resistencia a ON de drenaje a fuente estática reducida y alta densidad de potencia.
- Paquetes estándar internacionales
- Calificación de avalancha
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- Inductancia de paquete baja - fácil de conducir y proteger
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.084
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia de Activación Rds(on)
0.084ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto