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IXTY14N60X2
MOSFET, N CH, 600V, 14A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTY14N60X2
No. Parte Newark91AH7729
Hoja de datos técnicos
316 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.640 |
| 10+ | $3.460 |
| 25+ | $3.410 |
| 50+ | $3.400 |
| 140+ | $3.400 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTY14N60X2
No. Parte Newark91AH7729
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id14A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia180W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
180W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
14A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto