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IXFN400N15X3
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 400 A, 150 V, 0.0025 ohm, 10 V, 4.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN400N15X3
No. Parte Newark03AH0754
Rango de ProductoHiPerFET X3 Series
Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $48.280 |
| 5+ | $45.460 |
| 10+ | $42.620 |
| 25+ | $40.890 |
| 50+ | $39.150 |
| 100+ | $37.410 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$48.28
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFN400N15X3
No. Parte Newark03AH0754
Rango de ProductoHiPerFET X3 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id400
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia695
Disipación de Potencia Pd695W
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHiPerFET X3 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
400
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
695
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
695W
Rango de Producto
HiPerFET X3 Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto