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IXFX120N65X2
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFX120N65X2
No. Parte Newark03AH0975
Rango de ProductoSerie Clase-X2 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
190 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.280 |
| 5+ | $20.280 |
| 10+ | $20.280 |
| 25+ | $18.830 |
| 100+ | $17.180 |
| 500+ | $16.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$20.28
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXFX120N65X2
No. Parte Newark03AH0975
Rango de ProductoSerie Clase-X2 HiPerFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Diseño de TransistorPLUS247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd1.25kW
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie Clase-X2 HiPerFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Diodo intrínseco rápido con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal N adecuado para su uso en convertidores CD-CD, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, control de motores de CA y CD, circuitos PFC, aplicaciones de robótica y servocontroles.
- QG Bajo
- Baja inductancia del paquete.
- Alta densidad de potencia
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Diseño de Transistor
PLUS247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
1.25kW
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie Clase-X2 HiPerFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto