Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
520 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $12.080 |
5+ | $12.080 |
10+ | $12.080 |
25+ | $12.080 |
100+ | $12.080 |
500+ | $12.080 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.08
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH10N100D2
No. Parte Newark03AH1451
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd695W
Disipación de Potencia695
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de modo de agotamiento de canal N adecuado para su uso en amplificadores de audio, circuitos de arranque, circuitos de protección, generadores de rampa, reguladores de corriente y aplicaciones de cargas activas.
- Modo normalmente encendido
- Los epóxicos de moldeo cumplen con la clasificación de inflamabilidad UL94V-0
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
695W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
695
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto