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IXTH10P50P
MOSFET de Potencia, Canal P, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH10P50P
No. Parte Newark03AH1453
Rango de ProductoPolarP Series
Hoja de datos técnicos
316 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.900 |
| 25+ | $7.870 |
| 100+ | $5.830 |
| 250+ | $5.050 |
| 500+ | $4.890 |
| 1000+ | $4.740 |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH10P50P
No. Parte Newark03AH1453
Rango de ProductoPolarP Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoPolarP Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
PolarP Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto