Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
298 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $5.240 |
25+ | $5.240 |
100+ | $5.240 |
250+ | $5.240 |
500+ | $5.240 |
1000+ | $5.240 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.24
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTH50P10
No. Parte Newark03AH1520
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia de Activación Rds(on)0.055ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia300W
Disipación de Potencia Pd300W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
MOSFET de potencia estándar con clasificación de avalancha en modo de mejora de canal P adecuado para su uso en interruptores de lado alto, amplificadores push-pull, interruptores de CD, aplicaciones de equipos de prueba automáticos.
- Proceso HDMOS™ de bajo RDS (ON)
- Estructura de celda de puerta de polisilicio resistente
- Conmutación inductiva no sujeta (UIS) clasificada
- Baja inductancia del paquete (< 5nH) - fácil de manejar y proteger
- Fácil de montar con 1 tornillo (orificio de tornillo de montaje aislado)
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.055ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto