Imprimir página
IXTK110N20L2
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 110 A, 0.024 ohm, TO-264, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTK110N20L2
No. Parte Newark03AH1553
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
211 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $38.130 |
| 5+ | $33.990 |
| 10+ | $29.840 |
| 25+ | $25.790 |
| 100+ | $25.180 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$38.13
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTK110N20L2
No. Parte Newark03AH1553
Rango de ProductoLinearL2 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia de Activación Rds(on)0.024ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Diseño de TransistorTO-264
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd960W
Disipación de Potencia960
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoLinearL2 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Modo de mejora de canal N garantizado MOSFET de potencia LinearL2™ con clasificación de avalancha FBSOA con FBSOA extendido. Adecuado para uso en disyuntores de estado sólido, controles de arranque suave, amplificadores lineales, cargas programables y aplicaciones de reguladores de corriente.
- Diseñado para operación lineal
- FBSOA garantizado a 75°C
- Fácil montaje
- Ahorro de espacio
- Alta densidad de potencia
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.024ohm
Diseño de Transistor
TO-264
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
960W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
LinearL2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto