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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTY08N50D2
No. Parte Newark03AH1903
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia de Activación Rds(on)4.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.6
Diseño de TransistorTO-252
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia Pd60W
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
N-channel depletion mode MOSFET suitable for use in audio amplifiers, start-up circuits, protection circuits, Ramp generators, current regulators and active loads applications.
- Normally ON mode
- Moulding epoxies meet UL94V-0 flammability classification
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
4.6ohm
Diseño de Transistor
TO-252
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Disipación de Potencia Pd
60W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.6
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto